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SiRA02DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
T J = 150 °C
0.010
0.008
I D = 15 A
1
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.006
0.004
0.002
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
- 0.7
- 1.0
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μA
200
160
120
80
40
0
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
100μs
10
I DM Limited
I D Limited
1 ms
10 ms
1 Limited by R
0.1
D S (on) *
100 ms
1s
10 s
0.01
T A = 25 °C
S ingle Pulse
BVDSS Limited
DC
0.01
0.1 1 10 100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63773
S12-3075-Rev. B, 24-Dec-12
This document is subject to change without notice.
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